SK하이닉스, 20나노 DDR4 첫 개발

전송속도 3200Mbps…DDR3 D램보다 50%~100% 향상
인텔연구소 상호호환 테스트서 성공적 작동
내년 인텔 4세대 코어 프로세서와 함께 적용

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SK하이닉스가 메모리 업계 최초로 20나노급 DDR4 D램 제품 개발에 성공했다. 이 제품은 내년 상반기부터 양산을 시작해 하반기 출시되는 인텔 4세대 코어 프로세서와 함께 적용될 것으로 전망된다.

미국 샌프란시스코에서 열린 `2012 인텔개발자회의(IDF)'에서 SK하이닉스 관계자는 13일(현지시간)"세계 최초로 20나노급 공정으로 DDR4 D램 제품 개발에 성공했다"고 밝혔다.

DDR4(Double-Data-Rate4)는 전력이 1.2V로 작동하고 데이터 전송속도가 최대 3200Mbps까지 향상되는 D램 신제품이다. 시장 주력 제품인 DDR3의 전력 소모량은 1.25V∼1.5V, 전송속도는 1600∼2133Mbps인 점을 감안하면, 전력은 50%까지 줄이면서 전송 속도는 50~100% 가량 향상시킬 수 있다.

현재 메인보드는 대부분 DDR3 규격 전용으로 구성됐다. 메인보드 또한 DDR4 전용 규격으로 전환될 경우, 전송 속도는 더욱 빨라질 전망이다. 용량 또한 모듈 형태로 제작될 경우 최대 128GB까지 지원이 가능해 DDR3에 비해 2배 가량 올릴 수 있다.

통상적으로 D램 신제품은 CPU를 개발하는 인텔 연구소에서 상호 호환 작업을 거친다. 이를 통해 신제품이 작동할 경우, 향후 출시되는 인텔 새로운 프로세서와 함께 선보이는 것이 보통이다. SK하이닉스 측은 20나노급 DDR4 시제품을 개발, 첫 번째 생산된 웨이퍼를 약 한 달 전 인텔 연구소에 테스트를 거친 결과, 성공적으로 작동했다고 설명했다.

이 제품은 내년 하반기 출시할 것으로 예상되는 인텔 4세대 코어 프로세서(코드명 해즈웰)와 함께 새로운 PC에 적용된다.

SK하이닉스는 20나노급 DDR4 샘플 제품을 올해 중 몇몇 PC 업체들에게 공급한 뒤, 마지막 검증 작업을 거쳐, 내년 하반기부터 양산에 들어간다는 계획이다. 회사측은 이미 30나노급 DDR4 제품 개발을 성공적으로 진행한 만큼 20나노급 DDR4 양산을 위한 수율 확보도 자신하고 있다.

DDR4 제품은 삼성전자가 지난 7월 세계 최초로 개발, 발표했지만, 이 제품은 30나노급 공정으로 개발됐다. 삼성전자와 SK하이닉스는 30나노급 공정으로는 DDR4 제품을 양산하지 않고 곧바로 20나노급 공정에서 DDR4 제품을 양산한다는 계획이다. 삼성전자 또한 현재 20나노급 DDR4 제품 개발이 막바지에 이른 것으로 알려졌다.

SK하이닉스가 20나노급 DDR4 제품 개발이 완료되면서 JEDEC(국제반도체표준협의기구)에서 지정하는 DDR4 제품 표준 확립도 급물살을 탈 전망이다. DDR4 제품은 이미 몇몇 반도체 회사들이 개발했지만, 정확한 제품 기준이 국제 표준으로 등록되진 않은 상황이다. 이 관계자는 "DDR4 제품에 대한 표준 확립도 올해 안으로 마무리 될 것"이라고 말했다.

샌프란시스코(미국)=강승태기자

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