300㎜용 개발 산학연 공동연구센터 본격 가동
국내 산ㆍ학ㆍ연ㆍ관이 뭉쳐 차세대 메모리반도체 `STT-램' 개발에 본격 돌입한다.
지식경제부는 26일 서울 한양대에서 임채민 1차관과 권오현 삼성전자 사장, 김종갑 하이닉스 사장 등 정부와 업계, 학계, 연구계 인사 150여 명이 참석한 가운데 STT-램 개발을 위한 `차세대 메모리 산학연 공동연구센터' 개소식을 열었다.
정부와 삼성전자, 하이닉스가 공동 출연해 한양대에 마련된 이번 센터는 STT-램 개발용으로는 세계 최초로 300mm 웨이퍼 공정용 클린룸과 자성박막 증착기 등 8종의 장비를 갖췄다. 연구설비 구축에만 120억원 가량이 소요된 이 센터는 미국 뉴욕 알바니대학이 보유하고 있는 300mm 시스템반도체 연구시설에 이어 300mm용으로는 세계에서 두 번째로 구축됐다.
센터는 30나노급 이하 차세대 주력 메모리로 부상할 것으로 예상되는 STT-램 소자 원천기술과 시제품을 2012년말까지 총 240억원(정부 120억원, 업계 120억원)을 투입해 개발하게 된다.
센터에는 또 삼성전자 3명, 하이닉스 4명, 일본 반도체 장비 개발사인 울박코리아 4명 등 반도체 업계 연구원들을 비롯해 한양대, 한국과학기술연구원(KIST), 고려대, 성균관대 연구팀도 상주해 공동 R&D에 나선다.
산ㆍ학ㆍ연ㆍ관은 이번 STT-램 공동 R&D를 통해 200mm STT-램 개발센터를 가동중인 일본과 기술격차를 줄이고, 2015년 530억달러 규모로 성장할 30나노급 이하 차세대메모리 시장에서 45%(239억달러) 이상의 시장점유율 확보를 목표로 하고 있다.
일본은 2007년부터 신에너지산업기술종합개발기구(NEDO)를 중심으로 도시바ㆍNECㆍ후지쓰업계와 동북대 등 산학연 컨소시엄을 구성해 200mm 웨이퍼 공정으로 STT-램 개발에 먼저 나선 상태다. 일본은 200mm 공정으로 30나노급 STT-램의 메모리 셀 개발을 마쳤고, 매해 약 90억원 예산을 투입해 2012년까지 STT-램 시제품을 개발할 계획이다.
이번 문을 연 공동연구센터총괄이자 STT-램 개발 프로젝트를 주관하고 있는 한양대 박재근 교수는 "일본이 200mm 공정용 STT-램 개발을 먼저 했으나, 실제 생산에 적용할 수 있는 300mm 공정 개발은 우리가 더 빠르다"며 "차세대메모리에서도 우리나라가 세계 시장과 기술을 주도할 수 있을 것"이라고 말했다.
그는 또 "우리나라가 세계 최고 공정기술로 1993년 이후 메모리 세계 1위를 차지하고 있으나, 핵심 메모리 소자구조 등 원천기술 대부분은 해외에 의존해왔다"며 "이번 산학연 공동연구가 STT-램 등 차세대메모리 분야에서 원천기술까지 주도할 수 있길 기대한다"고 말했다.
김승룡기자 srkim@
[용어설명]
◇STT-램(Spin Transfer Torque RAM.스핀주입 자화반전 메모리)= 자기터널접합(MTJ)이라는 두개층의 자성물질구조를 트랜지스터로 활용, 전류를 흘려주었을 때 2개층의 자화방향이 일치하냐, 일치하지 않느냐에 따라 1과 0으로 데이터를 저장한다. 플래시메모리처럼 전원을 꺼도 데이터가 사라지지 않는 비휘발성이면서도 S램급 고속 동작이 가능하다. 기존 D램과 낸드플래시의 미세공정 한계로 간주되는 30나노급과 20나노급 이하의 초미세 공정이 가능해 테라비트(Tb)급까지 집적도를 올릴 수 있는 차세대 유력 메모리다.
◆사진설명 : STT-램 공동 연구개발을 위한 '차세대 메모리 연구센터' 개소식이 26일 서울 한양대에서 열린 가운데 참석자들이 300㎜ 등 자성 메모리 실리콘웨이퍼를 보고 있다. 왼쪽부터 권오현 삼성전자 사장, 박영아 한나라당 의원, 김종량 한양대 총장, 김종갑 하이닉스반도체 사장, 표재호 특허심판원장.
사진=김동욱기자 gphoto@
지식경제부는 26일 서울 한양대에서 임채민 1차관과 권오현 삼성전자 사장, 김종갑 하이닉스 사장 등 정부와 업계, 학계, 연구계 인사 150여 명이 참석한 가운데 STT-램 개발을 위한 `차세대 메모리 산학연 공동연구센터' 개소식을 열었다.
정부와 삼성전자, 하이닉스가 공동 출연해 한양대에 마련된 이번 센터는 STT-램 개발용으로는 세계 최초로 300mm 웨이퍼 공정용 클린룸과 자성박막 증착기 등 8종의 장비를 갖췄다. 연구설비 구축에만 120억원 가량이 소요된 이 센터는 미국 뉴욕 알바니대학이 보유하고 있는 300mm 시스템반도체 연구시설에 이어 300mm용으로는 세계에서 두 번째로 구축됐다.
센터는 30나노급 이하 차세대 주력 메모리로 부상할 것으로 예상되는 STT-램 소자 원천기술과 시제품을 2012년말까지 총 240억원(정부 120억원, 업계 120억원)을 투입해 개발하게 된다.
센터에는 또 삼성전자 3명, 하이닉스 4명, 일본 반도체 장비 개발사인 울박코리아 4명 등 반도체 업계 연구원들을 비롯해 한양대, 한국과학기술연구원(KIST), 고려대, 성균관대 연구팀도 상주해 공동 R&D에 나선다.
산ㆍ학ㆍ연ㆍ관은 이번 STT-램 공동 R&D를 통해 200mm STT-램 개발센터를 가동중인 일본과 기술격차를 줄이고, 2015년 530억달러 규모로 성장할 30나노급 이하 차세대메모리 시장에서 45%(239억달러) 이상의 시장점유율 확보를 목표로 하고 있다.
일본은 2007년부터 신에너지산업기술종합개발기구(NEDO)를 중심으로 도시바ㆍNECㆍ후지쓰업계와 동북대 등 산학연 컨소시엄을 구성해 200mm 웨이퍼 공정으로 STT-램 개발에 먼저 나선 상태다. 일본은 200mm 공정으로 30나노급 STT-램의 메모리 셀 개발을 마쳤고, 매해 약 90억원 예산을 투입해 2012년까지 STT-램 시제품을 개발할 계획이다.
이번 문을 연 공동연구센터총괄이자 STT-램 개발 프로젝트를 주관하고 있는 한양대 박재근 교수는 "일본이 200mm 공정용 STT-램 개발을 먼저 했으나, 실제 생산에 적용할 수 있는 300mm 공정 개발은 우리가 더 빠르다"며 "차세대메모리에서도 우리나라가 세계 시장과 기술을 주도할 수 있을 것"이라고 말했다.
그는 또 "우리나라가 세계 최고 공정기술로 1993년 이후 메모리 세계 1위를 차지하고 있으나, 핵심 메모리 소자구조 등 원천기술 대부분은 해외에 의존해왔다"며 "이번 산학연 공동연구가 STT-램 등 차세대메모리 분야에서 원천기술까지 주도할 수 있길 기대한다"고 말했다.
김승룡기자 srkim@
[용어설명]
◇STT-램(Spin Transfer Torque RAM.스핀주입 자화반전 메모리)= 자기터널접합(MTJ)이라는 두개층의 자성물질구조를 트랜지스터로 활용, 전류를 흘려주었을 때 2개층의 자화방향이 일치하냐, 일치하지 않느냐에 따라 1과 0으로 데이터를 저장한다. 플래시메모리처럼 전원을 꺼도 데이터가 사라지지 않는 비휘발성이면서도 S램급 고속 동작이 가능하다. 기존 D램과 낸드플래시의 미세공정 한계로 간주되는 30나노급과 20나노급 이하의 초미세 공정이 가능해 테라비트(Tb)급까지 집적도를 올릴 수 있는 차세대 유력 메모리다.
◆사진설명 : STT-램 공동 연구개발을 위한 '차세대 메모리 연구센터' 개소식이 26일 서울 한양대에서 열린 가운데 참석자들이 300㎜ 등 자성 메모리 실리콘웨이퍼를 보고 있다. 왼쪽부터 권오현 삼성전자 사장, 박영아 한나라당 의원, 김종량 한양대 총장, 김종갑 하이닉스반도체 사장, 표재호 특허심판원장.
사진=김동욱기자 gphoto@
