하이닉스반도체, 저전력 54나노 1Gb DDR3 D램 개발

전력소모율 30% 줄여… 하이닉스 이달부터 양산

  • 프린트
  • 페이스북
  • 트위터
  • 카카오스토리


하이닉스반도체, 저전력 54나노 1Gb DDR3 D램 개발
■ '디스플레이 - 반도체' 신기술 개발 2제

하이닉스반도체(대표 김종갑)는 기존 1Gb DDR3 D램보다 전력소모율을 30% 줄인 2세대 54나노 1Gb DDR3 D램 개발에 성공했다고 12일 밝혔다.

회사는 D램 설계 회로를 최적화하고 단순화하는 동시에 내부 클록 신호처리의 새로운 방법을 도입, 기존 54나노 1Gb DDR3의 동작전압인 1.5볼트를 유지하면서도 전력소모를 30% 줄일 수 있었다고 설명했다.

새로운 클록 신호처리는 방법은 클로킹 시스템에서 읽기ㆍ쓰기ㆍ대기 등 동작 모드에 따라 내부 클록신호를 제어, 불필요한 클로킹 동작을 줄였다고 회사는 밝혔다.

회사는 이 저전력 1Gb DDR3 D램을 이달초부터 양산하기 시작했으며, 이 기술을 적용한 44나노 2Gb DDR3 D램을 오는 11월부터 양산할 계획이다.

회사는 미국 내 모든 서버에 이 저전력 DDR3 D램을 사용할 경우 연간 약 6억 달러의 전기료를 절감할 수 있고, 이는 연간 150만 그루의 나무를 심는 것과 같은 환경 효과가 있다고 설명했다.

회사 관계자는 "최근 IT산업 전반에 걸쳐 에너지 소모를 줄이는 그린IT 제품이 주목받고 있고, 이미 노트북을 포함한 모바일 제품 제조사나 대형 서버를 사용하는 데이터센터(IDC) 등에서는 에너지절약이 필수 과제"라며 "하이닉스는 이 제품으로 클라우드 컴퓨팅 등 향후 저전력 환경을 요구하는 수요에 적극 대응할 것"이라고 말했다. 회사는 연말까지 전체 D램에서 DDR3 생산비중을 50% 이상으로 확대할 것이라고 밝혔다.

김승룡기자 srkim@

◆사진설명 : 전력소모율을 30% 줄인 하이닉스반도체의 2세대 54나노 1Gb DDR3 D램.