연말부터 생산채비… 성공여부 불투명 전망도
엘피다와 마이크론이 국내 선두 D램사들과의 기술격차를 줄이기 위해 이르면 연말부터 40나노급 D램 생산을 위한 공정전환에 들어간다고 최근 외신이 잇따라 보도했다.
이들은 내년부터 40나노급 DDR3 본양산에 들어간다는 계획인데, 관련 업계 전문가들은 이들이 현재 60나노급 DDR2를 생산하고 있고, 아직 50나노급 생산기술도 확보하지 못한 상태에서 40나노 테크 전환과 제품생산이 내년에 성공할지는 불투명하다고 평가하고 있다.
18일 외신에 따르면 엘피다는 빠르면 오는 4분기부터 40나노급 2Gb DDR3 생산을 위한 공정전환에 들어가 내년부터 본양산에 들어갈 계획인 것으로 알려졌다. 현재 엘피다는 65나노로 D램을 생산하고 있는데, 50나노급 미세공정을 건너뛰고 내년 바로 40나노급 D램 생산에 들어갈 계획인 것으로 전해졌다.
현재 68나노로 D램을 생산중인 마이크론도 올 연말 40나노급 D램 생산을 위한 공정전환 작업에 착수할 것이라고 디지타임스는 보도했다. 마이크론은 올 연말 싱가포르 300mm D램 웨이퍼 라인에서 40나노급 공정전환에 들어가고, 내년부터 본 양산에 들어가 2011년 대량 양산체제를 갖출 계획을 세운 것으로 전해졌다. 마이크론은 올 3분기에 50나노급 D램 생산에 들어간다는 계획이었으나, 이마저도 지연되고 있는 것으로 알려졌다.
엘피다와 마이크론이 서둘러 40나노급 D램 생산준비에 나서는 것은 최근 수요가 급증하고 있는 DDR3에서 기술과 원가경쟁력을 갖추지 못하면 D램 시장에서 삼성전자나 하이닉스를 쫓아가지 못할 것이라는 긴박한 위기감 때문으로 보인다.
국내 D램 업계 전문가는 "엘피다나 마이크론이 내년 40나노급 DDR3 샘플 정도는 만들 수 있을지 몰라도 본 생산은 쉽지 않아 보인다"며 "특히 엘피다가 60나노급에서 40나노급으로 바로 건너뛴다고 하는 것은 그만큼 기업이 위기상황에 몰려있다는 역설"이라고 평가했다.
한편 국내 삼성전자는 지난 7월 세계 처음으로 46나노 2Gb DDR3 생산에 들어갔다고 밝혔으며, 하이닉스도 오는 4분기에 44나노 2Gb DDR3 본 양산에 들어갈 예정이다. 삼성전자와 하이닉스 등 세계 1ㆍ2위 D램 제조사와 엘피다ㆍ마이크론 등 3ㆍ4위 제조사간 미세 나노공정 기술 격차는 1년 이상 벌어져 있어 엘피다와 마이크론의 40나노급 DDR3 생산은 빨라야 내년 4분기쯤이나 가능할 것이라는게 국내 관련 업계 전문가들의 한결같은 분석이다.
김승룡기자 srkim@
이들은 내년부터 40나노급 DDR3 본양산에 들어간다는 계획인데, 관련 업계 전문가들은 이들이 현재 60나노급 DDR2를 생산하고 있고, 아직 50나노급 생산기술도 확보하지 못한 상태에서 40나노 테크 전환과 제품생산이 내년에 성공할지는 불투명하다고 평가하고 있다.
18일 외신에 따르면 엘피다는 빠르면 오는 4분기부터 40나노급 2Gb DDR3 생산을 위한 공정전환에 들어가 내년부터 본양산에 들어갈 계획인 것으로 알려졌다. 현재 엘피다는 65나노로 D램을 생산하고 있는데, 50나노급 미세공정을 건너뛰고 내년 바로 40나노급 D램 생산에 들어갈 계획인 것으로 전해졌다.
현재 68나노로 D램을 생산중인 마이크론도 올 연말 40나노급 D램 생산을 위한 공정전환 작업에 착수할 것이라고 디지타임스는 보도했다. 마이크론은 올 연말 싱가포르 300mm D램 웨이퍼 라인에서 40나노급 공정전환에 들어가고, 내년부터 본 양산에 들어가 2011년 대량 양산체제를 갖출 계획을 세운 것으로 전해졌다. 마이크론은 올 3분기에 50나노급 D램 생산에 들어간다는 계획이었으나, 이마저도 지연되고 있는 것으로 알려졌다.
엘피다와 마이크론이 서둘러 40나노급 D램 생산준비에 나서는 것은 최근 수요가 급증하고 있는 DDR3에서 기술과 원가경쟁력을 갖추지 못하면 D램 시장에서 삼성전자나 하이닉스를 쫓아가지 못할 것이라는 긴박한 위기감 때문으로 보인다.
국내 D램 업계 전문가는 "엘피다나 마이크론이 내년 40나노급 DDR3 샘플 정도는 만들 수 있을지 몰라도 본 생산은 쉽지 않아 보인다"며 "특히 엘피다가 60나노급에서 40나노급으로 바로 건너뛴다고 하는 것은 그만큼 기업이 위기상황에 몰려있다는 역설"이라고 평가했다.
한편 국내 삼성전자는 지난 7월 세계 처음으로 46나노 2Gb DDR3 생산에 들어갔다고 밝혔으며, 하이닉스도 오는 4분기에 44나노 2Gb DDR3 본 양산에 들어갈 예정이다. 삼성전자와 하이닉스 등 세계 1ㆍ2위 D램 제조사와 엘피다ㆍ마이크론 등 3ㆍ4위 제조사간 미세 나노공정 기술 격차는 1년 이상 벌어져 있어 엘피다와 마이크론의 40나노급 DDR3 생산은 빨라야 내년 4분기쯤이나 가능할 것이라는게 국내 관련 업계 전문가들의 한결같은 분석이다.
김승룡기자 srkim@
