삼성전자 이어 세계 두번째… 양사간 선두 경쟁 본격화
하이닉스반도체(대표 권오철)가 내년 초 중 20나노대 D램 양산을 시작한다. 현재 관련 기술 개발은 거의 완료된 상황이며, 올해 말 기술개발을 마치고, 내년 초 검증 작업을 거쳐 늦어도 초에는 본격적인 양산에 착수한다는 계획이다. 이는 지난 9월 양산한 삼성전자(대표 최지성)에 이어 세계 두 번째로 세계와 한국 업체와의 기술 격차가 더욱 벌어짐을 의미해 주목된다.
28일 관련업계에 따르면 하이닉스는 현재 20나노대 D램 개발을 거의 완료하고, 내년 초 본격적으로 양산에 들어갈 계획이다.
하이닉스에 정통한 업계 관계자는 "늦어도 초 중 하이닉스가 20나노대 D램 양산에 들어갈 것이다"며 "물론 모든 공정에 적용되지는 않지만, 수율을 확보해 점차 공정 비중을 늘려나갈 것"이라고 말했다. 이에 대해 하이닉스 관계자는 "이 부분에 대해선 확인할 수 없다"면서도 "지금까지 밝혀진 것처럼 올해까지 개발 완료해서 내년 1분기까지 최대한 빨리 양산하겠다는 계획은 변함이 없다"고 말했다.
하이닉스가 알려진 대로 내년 초 20나노대 D램을 양산한다면, 삼성전자에 이어 세계 두 번째다. 지난 9월 삼성전자는 세계 최초로 20나노대 D램 제품을 화성 16라인에서 생산하기 시작했다.
이처럼 주요 D램 업체들이 20나노대 공정에서 D램을 양산하고 있거나 개발 중이지만, 아직 20나노대 제품이 전체 D램 시장에서 차지하는 비중은 적다. 여전히 시장 주력 제품은 40나노대 공정에서 생산된 제품이며, 30나노대 공정 제품도 2012년은 돼야 전체 시장에서 주력 제품으로 올라설 것으로 내년 초 하이닉스가 양산할 것으로 알려진 20나노급 D램 제품은 내년 말이나 2013년은 돼야 시장에서 주력 제품으로 부상할 전망이다.
그럼에도 불구하고 미세회로 선폭 공정 개발은 1∼2년 후 업체의 미래 경쟁력를 좌우하는 매우 중요한 요소로, 개발 경쟁에 뒤쳐질 경우 시장 경쟁 자체가 되지 않아 업체들은 사활을 걸고 미세회로 공정 개발에 나서고 있다.
또한 회사는 올해 상반기 30나노급 D램 수율 문제로 어려움을 겪어 왔지만 하반기 들어 수율이 급격히 올라가면서 30나노대 공정이 지금까지 하이닉스 개발 기술 중 수율 향상 속도가 가장 높다고 밝혔다. 이를 바탕으로 하이닉스는 내년 초 20나노대 D램 제품을 양산하기 시작하면서 삼성전자와 본격적인 선두 경쟁을 시작하겠다는 계획이다. 하이닉스 초 양산이 본격화되면 삼성전자와 기술 격차는 약 6개월 차이다. 이는 당초 알려진 9∼12개월 차이보다 다소 줄어든 격차로 내년 SK텔레콤이라는 주인을 만난 하이닉스가 투자를 본격화한다면 선두 경쟁을 벌일 수 있다는 자신감을 되찾을 것으로 예상된다.
한편, 최근 삼성전자 20나노급 D램 공정 수율은 60%를 넘어선 것으로 알려졌으며, 내년 3월엔 80%까지 오를 것으로 전망된다. 시장조사기관 아이서플라이가 발표한 올해 3분기 세계 D램 시장(잠정치)은 삼성전자가 45% 점유율로 1위, 하이닉스 22%, 엘피다, 마이크론이 각 12%로 그 뒤를 잇고 있다.
강승태기자 kangst@
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28일 관련업계에 따르면 하이닉스는 현재 20나노대 D램 개발을 거의 완료하고, 내년 초 본격적으로 양산에 들어갈 계획이다.
하이닉스에 정통한 업계 관계자는 "늦어도 초 중 하이닉스가 20나노대 D램 양산에 들어갈 것이다"며 "물론 모든 공정에 적용되지는 않지만, 수율을 확보해 점차 공정 비중을 늘려나갈 것"이라고 말했다. 이에 대해 하이닉스 관계자는 "이 부분에 대해선 확인할 수 없다"면서도 "지금까지 밝혀진 것처럼 올해까지 개발 완료해서 내년 1분기까지 최대한 빨리 양산하겠다는 계획은 변함이 없다"고 말했다.
하이닉스가 알려진 대로 내년 초 20나노대 D램을 양산한다면, 삼성전자에 이어 세계 두 번째다. 지난 9월 삼성전자는 세계 최초로 20나노대 D램 제품을 화성 16라인에서 생산하기 시작했다.
이처럼 주요 D램 업체들이 20나노대 공정에서 D램을 양산하고 있거나 개발 중이지만, 아직 20나노대 제품이 전체 D램 시장에서 차지하는 비중은 적다. 여전히 시장 주력 제품은 40나노대 공정에서 생산된 제품이며, 30나노대 공정 제품도 2012년은 돼야 전체 시장에서 주력 제품으로 올라설 것으로 내년 초 하이닉스가 양산할 것으로 알려진 20나노급 D램 제품은 내년 말이나 2013년은 돼야 시장에서 주력 제품으로 부상할 전망이다.
그럼에도 불구하고 미세회로 선폭 공정 개발은 1∼2년 후 업체의 미래 경쟁력를 좌우하는 매우 중요한 요소로, 개발 경쟁에 뒤쳐질 경우 시장 경쟁 자체가 되지 않아 업체들은 사활을 걸고 미세회로 공정 개발에 나서고 있다.
또한 회사는 올해 상반기 30나노급 D램 수율 문제로 어려움을 겪어 왔지만 하반기 들어 수율이 급격히 올라가면서 30나노대 공정이 지금까지 하이닉스 개발 기술 중 수율 향상 속도가 가장 높다고 밝혔다. 이를 바탕으로 하이닉스는 내년 초 20나노대 D램 제품을 양산하기 시작하면서 삼성전자와 본격적인 선두 경쟁을 시작하겠다는 계획이다. 하이닉스 초 양산이 본격화되면 삼성전자와 기술 격차는 약 6개월 차이다. 이는 당초 알려진 9∼12개월 차이보다 다소 줄어든 격차로 내년 SK텔레콤이라는 주인을 만난 하이닉스가 투자를 본격화한다면 선두 경쟁을 벌일 수 있다는 자신감을 되찾을 것으로 예상된다.
한편, 최근 삼성전자 20나노급 D램 공정 수율은 60%를 넘어선 것으로 알려졌으며, 내년 3월엔 80%까지 오를 것으로 전망된다. 시장조사기관 아이서플라이가 발표한 올해 3분기 세계 D램 시장(잠정치)은 삼성전자가 45% 점유율로 1위, 하이닉스 22%, 엘피다, 마이크론이 각 12%로 그 뒤를 잇고 있다.
강승태기자 kangst@
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